时间：2025/5/7 13:40:34
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BSZ097N04LS G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电源管理应用。其额定电压为 40V，适用于中低压场景，广泛用于工业、汽车和消费类电子领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：128A
导通电阻：0.65mΩ
栅极电荷：105nC
开关时间：ton=38ns, toff=22ns
结温范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TOLL
BSZ097N04LS G 的主要特点是具备极低的导通电阻，仅为 0.65mΩ（在 Vgs=10V 时），这使其非常适合高效能功率转换应用。此外，它拥有较低的栅极电荷，有助于实现快速开关操作，从而减少开关损耗。同时，TOLL 封装提供卓越的散热能力，支持高密度功率设计。
该器件还具备良好的雪崩耐量能力和热稳定性，能够在极端条件下保持可靠运行。由于采用了铜夹技术，其寄生电感更低，从而进一步提升了高频性能。
此功率 MOSFET 支持自动化的表面贴装工艺，简化了制造流程并提高了生产效率。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种工业与汽车电子设备中的功率级电路。
例如，在电动汽车（EV）充电系统中，它可以作为主功率开关使用；在消费类电子产品中，可用于笔记本电脑适配器或 USB-PD 充电器等高效能电源解决方案。
BSC097N04LS G
